PN2222 Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Corriente CC máxima de colector
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Tensión VCBO colector-base
Voltaje VEBO emisor-base
Voltaje de saturación colector-emisor
Dp - Disipación de potencia
Producto para ganar Ancho de banda fT
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 600mA 60V NPN
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No
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1.6 V 625 mW 250 MHz - 55 C + 150 C Bulk
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
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No disponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Purp Amp
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
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No en existencias
Min.: 10 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) TO-92
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
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No en existencias
Min.: 10 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN General Purpose Transistor
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Purp Amp
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Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild PN2222RA
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) TO-92
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Si PN2222
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 600mA 60V PNP
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Comentarios de Producto

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1.6 V 625 mW 250 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
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Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel, Cut Tape
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
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7 757En existencias
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: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz + 150 C PN2222 Ammo Pack
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
Toshiba PN2222A,126
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) N/A
Si NPN Single 600 mA 40 V 75 V 6 V 500 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Purp Amp
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21 454En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz + 150 C PN2222 Reel, Cut Tape
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN GPA
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Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Purp Amp
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No disponible

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
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No disponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
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No disponible
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
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Plazo de entrega no en existencias 42 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 2 500

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 40 V 75 V 6 V 300 mV 625 mW 250 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Bulk
Toshiba PN2222BU
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) N/A
Si NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222
onsemi / Fairchild Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN General Purpose Transistor
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No disponible

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk