Circuitos integrados de interruptores de RF DC-3.5GHz IL:.85dB -40C to +85C
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MASW-008955-TR3000
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Circuitos integrados de interruptores de RF 50-20000MHz ISO 38dB IL 1.25dB Max@ 20GH
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Circuitos integrados de interruptores de RF 50-20000MHz ISO 38dB IL 1.25dB Max@ 20GH
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Circuitos integrados de interruptores de RF 500-3000MHz Iso 25dB IL .6dB @2.4GHz
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Circuitos integrados de interruptores de RF 500-3000MHz Iso 25dB IL .6dB @2.4GHz
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Circuitos integrados de interruptores de RF DC-3.0GHz ISO 22dB IL <.4dB @ 1900MHz
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Circuitos integrados de interruptores de RF DC-3.0GHz ISO 21dB IL <.3dB @ 900MHz
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Circuitos integrados de interruptores de RF DC-3GHz SPST IL .7dB @ 2GHz
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Diodos de varactor VARACTOR,CK,PLASTIC
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Diodos de varactor Varactor,Lead-Free,Plastic,CK
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Diodos de varactor VARACTOR,PLASTIC,CK
MAVR-000407-0287FT
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Diodos de varactor Diode,Varactor,pb-free MA4ST409-287
MAVR-000409-0287AT
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Diodos de varactor Diode,Varactor,pb-free MA4ST409-287
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Diodos de varactor Diode,Varactor,SC79
MAVR-011005-12790T
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N.º de artículo de Mouser 937-MAVR01100512790T
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Diodos de varactor Diode,Varactor,SC79
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Diodos de varactor VARACTOR PLASTIC DUAL
MAVR-045441-0287FT
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N.º de artículo de Mouser 937-MAVR0454410287FT
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Diodos de varactor VARACTOR PLASTIC DUAL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet
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MRF140
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
MRF166C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
MRF275G
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
MRF314
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MRF314
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
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Acondicionamiento de señales Active Doubler QFN-24
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XX1002-QH-0G0T
MACOM
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₡12 284,83
668 En existencias
N.º de artículo de Mouser 937-XX1002-QH-0G0
MACOM
Acondicionamiento de señales Active Doubler QFN-24
668 En existencias
1
₡12 284,83
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25
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₡7 958,58
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GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
CG2H80030D-GP4
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N.º de artículo de Mouser 941-CG2H80030D
MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
30 En existencias
10
₡85 863,72
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Detalles
GaN FETs GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt
CGH09120F
MACOM
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N.º de artículo de Mouser 941-CGH09120F
MACOM
GaN FETs GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt
7 En existencias
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Detalles
GaN FETs GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
CGH27015F
MACOM
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N.º de artículo de Mouser 941-CGH27015F
MACOM
GaN FETs GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
107 En existencias
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₡70 456,18
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₡55 010,68
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Detalles
GaN FETs Amplifier, 240W, 3.1GHz, GaN HEMT, 28V
CGH31240F
MACOM
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2 En existencias
N.º de artículo de Mouser 941-CGH31240F
MACOM
GaN FETs Amplifier, 240W, 3.1GHz, GaN HEMT, 28V
2 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
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GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
CGH40006P
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120 Se espera el 10/11/2026
N.º de artículo de Mouser 941-CGH40006P
MACOM
GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
53 En existencias
120 Se espera el 10/11/2026
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Min.: 1 Mult.: 1
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GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
CGH40006S
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N.º de artículo de Mouser 941-CGH40006S
MACOM
GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
100 En existencias
1 200 Se espera el 8/6/2026
1
₡32 490,29
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₡26 960,49
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Carrete :200
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