YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 2.5A SOT-23S
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2 868En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
Hoja de datos
2 970En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723
Hoja de datos
10 000Se espera el 18/3/2026
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Min.: 1
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Carrete: 10 000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 700 pC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
Hoja de datos
6 000Se espera el 3/3/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 11 A, 7.3 A 18 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V, 2 V 5.2 nC, 6 nC - 55 C + 150 C 3.57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 11A 11mOhm SO-8
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 24mOhm TO-252
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 3.88mOhm TO-263
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 4 000
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 15.5A 11mOhm PMPAK5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17.7A 8.2mOhm PMPAK5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 8.4mOhm TO-252
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17.8A 8.4mOhm PMPAK5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 20A 6.9mOhm SPPAK-5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -100V -3.4A 135mohm PMPAK-3x3
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17A 10mOhm PMPAK5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 3.9mOhm TOLL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Si Reel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 3.9mOhm TOLL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
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Si Reel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 16.1A 9.3mOhm PMPAK5x6X
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
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Si Reel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 30V 12A 10.4mohm PMPAK-5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 30V 7.8A 20mohm SO-8
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 43.3A 1.7mohm PMPAK5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
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Si Reel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 24.7A 5mOhm PMPAK5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 19.5A 5mOhm PMPAK3x3
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 17.7A 9.5mohm PMPAK5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Mult.: 1
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Si Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 21.5A 4.2mohm PMPAK-3x3
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Mult.: 1
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Si Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 60A 0.85mohm PMPAK-5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si Reel