Dual – Mouser Costa Rica

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N.° de pieza

Módulos IGBT PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)

NXH100B120H3Q0PTG
onsemi
1: ₡34 616,15
28En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXH100B120H3Q0PTG

N.º de artículo de Mouser
863-NXH100B120H3Q0PG

onsemi

Módulos IGBT PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)

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₡34 616,15

₡28 183,20

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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 30-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.5dB

MRF393
MACOM
1: ₡133 660,72
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF393

N.º de artículo de Mouser
937-MRF393

MACOM

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 30-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.5dB

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17En existencias

₡133 660,72

₡107 882,07

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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE

HFA3134IHZ96
Renesas / Intersil
1: ₡4 070,04
1 800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HFA3134IHZ96

N.º de artículo de Mouser
968-HFA3134IHZ96

Renesas / Intersil

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE

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₡4 070,04

₡2 919,81

₡2 711,62

₡2 675,19

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₡2 503,44

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: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20

SSM6N62TU,LXHF
Toshiba
1: ₡452,80
2 683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N62TU,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N62TULXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20

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₡452,80

₡295,10

₡189,97

₡137,92

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: 3 000

Módulos IGBT 1200V 100A DUAL

FF100R12KS4
Infineon Technologies
1: ₡59 312,24
88En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FF100R12KS4

N.º de artículo de Mouser
641-FF100R12KS4

Infineon Technologies

Módulos IGBT 1200V 100A DUAL

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₡59 312,24

₡55 231,79

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Módulos IGBT 1200 V, 450 A common emitter IGBT module

FF450R12KE4_E
Infineon Technologies
1: ₡69 976,57
16En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FF450R12KE4_E

N.º de artículo de Mouser
641-FF450R12KE4_E

Infineon Technologies

Módulos IGBT 1200 V, 450 A common emitter IGBT module

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₡69 976,57

₡67 660,50

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Diodos de Conmutación de Señal Baja SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

BAV99W_R2_00001
Panjit
1: ₡78,07
22 865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BAV99W_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BAV99W_R2_00001

Panjit

Diodos de Conmutación de Señal Baja SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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22 865En existencias

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₡78,07

₡51,53

₡32,79

₡20,82

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₡9,89

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: 12 000

Transistores digitales BRT PNP NPN 100mA -50V

RN4602TE85LF
Toshiba
1: ₡208,19
3 491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN4602TE85LF

N.º de artículo de Mouser
757-RN4602TE85LF

Toshiba

Transistores digitales BRT PNP NPN 100mA -50V

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3 491En existencias

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₡208,19

₡126,99

₡79,63

₡58,81

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: 3 000

Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL

CM300DX-24T#110G
Mitsubishi Electric
1: ₡66 250,04
12En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CM300DX-24T#110G

N.º de artículo de Mouser
917-CM300DX-24T

Mitsubishi Electric

Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL

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₡66 250,04

₡55 944,83

₡52 244,32

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Módulos IGBT 1700 V, 500 A dual IGBT module

FF500R17KE4BOSA1
Infineon Technologies
1: ₡100 023,04
43En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FF500R17KE4BOSA1

N.º de artículo de Mouser
726-FF500R17KE4BOSA1

Infineon Technologies

Módulos IGBT 1700 V, 500 A dual IGBT module

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₡100 023,04

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Transistores digitales ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz

RN1703JE(TE85L,F)
Toshiba
1: ₡197,78
4 000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1703JE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-RN1703JETE85LF

Toshiba

Transistores digitales ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz

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₡197,78

₡122,83

₡77,55

₡57,77

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₡33,83

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: 4 000

Luces LED multicolor GRN/ORN TRANSP

SML-020MDTT86
ROHM Semiconductor
1: ₡478,83
926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SML-020MDTT86

N.º de artículo de Mouser
755-SML-020MDTT86

ROHM Semiconductor

Luces LED multicolor GRN/ORN TRANSP

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926En existencias

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₡478,83

₡330,50

₡241,50

₡201,94

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₡170,71

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: 2 500

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6

HN1C03FU-B(TE85L,F
Toshiba
1: ₡296,67
3 000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1C03FU-B(TE85L,F

N.º de artículo de Mouser
757-HN1C03FU-BTE85LF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6

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₡296,67

₡183,20

₡122,83

₡89,00

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₡66,62

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: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD

DMG5802LFX-7
Diodes Incorporated
1: ₡608,94
16En existencias
6 000Se espera el 13/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMG5802LFX-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG5802LFX-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD

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16En existencias

6 000Se espera el 13/8/2026

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₡608,94

₡376,30

₡235,25

₡181,64

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₡139,48

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: 3 000

Rectificadores 200V Vrm 10A Io Recovery Diode

RFN10T2D
ROHM Semiconductor
1: ₡1 046,14
115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RFN10T2D

N.º de artículo de Mouser
755-RFN10T2D

ROHM Semiconductor

Rectificadores 200V Vrm 10A Io Recovery Diode

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115En existencias

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₡1 046,14

₡671,40

₡462,69

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₡355,48

₡336,74

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: 500

Diodos Zener 200mW; UMD3 15.85-16.51V Vz

UMZ16NFHT106
ROHM Semiconductor
1: ₡520,47
2 711En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UMZ16NFHT106

N.º de artículo de Mouser
755-UMZ16NFHT106

ROHM Semiconductor

Diodos Zener 200mW; UMD3 15.85-16.51V Vz

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2 711En existencias

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₡520,47

₡359,64

₡227,96

₡141,05

₡104,09

Envase tipo carrete

₡56,73

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Mult.: 1

: 3 000

Diodos Zener Zener Diode 27V 200mW Surface Mount

UMZ27NFHT106
ROHM Semiconductor
1: ₡395,55
1 018En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UMZ27NFHT106

N.º de artículo de Mouser
755-UMZ27NFHT106

ROHM Semiconductor

Diodos Zener Zener Diode 27V 200mW Surface Mount

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1 018En existencias

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₡395,55

₡244,62

₡156,14

₡117,63

Envase tipo carrete

₡74,43

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistores digitales Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A

RN2501(TE85L,F)
Toshiba
1: ₡171,75
2 383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2501(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-RN2501TE85LF

Toshiba

Transistores digitales Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A

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2 383En existencias

Cinta cortada

₡171,75

₡126,47

₡71,82

₡48,40

Envase tipo carrete

₡33,31

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E

CSD87503Q3ET
Texas Instruments
1: ₡853,56
986En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87503Q3ET

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87503Q3ET

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E

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986En existencias

Cinta cortada

₡853,56

₡572,51

₡474,66

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₡474,66

₡447,60

₡436,67

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Min.: 1
Mult.: 1

: 250

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
1: ₡218,60
124 622En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSD235NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSD235NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

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Hoja de datos

124 622En existencias

Cinta cortada

₡218,60

₡151,98

₡94,72

₡65,58

Envase tipo carrete

₡49,44

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Módulos IGBT 650 V, 100 A booster IGBT module

DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Infineon Technologies
1: ₡16 207,29
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DF100R07W1H5FPB53BPSA2

N.º de artículo de Mouser
726-DFW1H5FPB53BPSA2

Infineon Technologies

Módulos IGBT 650 V, 100 A booster IGBT module

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Hoja de datos

30En existencias

₡16 207,29

₡14 125,43

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores Super Fast Recovery Diode

RFN6T2DNZC9
ROHM Semiconductor
1: ₡785,90
1 753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RFN6T2DNZC9

N.º de artículo de Mouser
755-RFN6T2DNZC9

ROHM Semiconductor

Rectificadores Super Fast Recovery Diode

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Hoja de datos

1 753En existencias

₡785,90

₡353,92

₡335,18

₡334,66

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Luces LED multicolor Dual Color LED (Yellowish-Green & Red), AIGaInP, 2.0/1.9V, 5mA

SML-D22YVWT86
ROHM Semiconductor
1: ₡327,89
5 898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SML-D22YVWT86

N.º de artículo de Mouser
755-SML-D22YVWT86

ROHM Semiconductor

Luces LED multicolor Dual Color LED (Yellowish-Green & Red), AIGaInP, 2.0/1.9V, 5mA

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Hoja de datos

5 898En existencias

Cinta cortada

₡327,89

₡226,92

₡164,47

₡136,36

Envase tipo carrete

₡116,58

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF914DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 243,91
2 950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF914DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF914DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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2 950En existencias

Cinta cortada

₡1 243,91

₡723,45

₡541,28

₡461,13

₡424,70

Envase tipo carrete

₡392,43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET

CSD75207W15
Texas Instruments
1: ₡275,85
6 282En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD75207W15

N.º de artículo de Mouser
595-CSD75207W15

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET

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6 282En existencias

Cinta cortada

₡275,85

₡227,44

₡169,15

₡144,17

Envase tipo carrete

₡113,46

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

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Dispositivos optoelectrónicos

Soluciones incluidas