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BSH205G2AR

Name: Nexperia BSH205G2AR
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSH205G2AR
Price: 272.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-BSH205G2AR

Fabricante N.º:

BSH205G2AR

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.6A

Hoja de datos:

BSH205G2AR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡272,60	₡272,60
	₡165,88	₡1 658,80
	₡140,94	₡7 047,00
	₡104,40	₡10 440,00
	₡77,72	₡38 860,00
	₡69,02	₡69 020,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡57,42	₡172 260,00
	₡54,52	₡327 120,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	118 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	900 mV
Qg - Carga de puerta:	4.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	1.3 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-channel Trench MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Alias de las piezas n.º:	934661354215
Peso de la unidad:	8 mg

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BSH205G2AR Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology and offers a low threshold voltage with very fast switching. The BSH205G2 MOSFET is ideal for applications like relay drivers, high-speed line drivers and switching circuits.

Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options.