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BSH205G2VL

Name: Nexperia BSH205G2VL
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSH205G2VL
Price: 296.67 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-BSH205G2VL

Fabricante N.º:

BSH205G2VL

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2/SOT23/TO-236AB

Hoja de datos:

BSH205G2VL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	170 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	950 mV
Qg - Carga de puerta:	6.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	890 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934068496235
Peso de la unidad:	8 mg

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Hoja de datos

BSH205G2VL Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology and offers a low threshold voltage with very fast switching. The BSH205G2 MOSFET is ideal for applications like relay drivers, high-speed line drivers and switching circuits.

PRODUCTOS DESTACADOS

NEXPERIA

BUK7Q N-Channel MOSFET in MLPAK33-WF Package

Uses Trench 9 technology, meets AEC-Q101 requirements.

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BUK9Q N-Channel Trench MOSFET

Logic-level compatible, fast switching, and fully automotive qualified to AEC-Q101 at 175°C.

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BUK6Q66-60PJ MOSFET

P-channel FET in an MLPAK33 (SOT8002-3) SMD plastic package using Trench MOSFET technology.

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BUK6Q8R2-30PJ MOSFET

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Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡296,67	₡296,67
	₡206,10	₡2 061,00
	₡130,12	₡13 012,00
	₡81,71	₡40 855,00
	₡71,30	₡71 300,00
	₡62,98	₡157 450,00
	₡53,61	₡268 050,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	₡47,36	₡473 600,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

BSH205G2VL

Fabricante: Nexperia

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2/SOT23/TO-236AB

Especificaciones

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BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

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