BSM080D12P2C008

ROHM Semiconductor
755-BSM080D12P2C008
BSM080D12P2C008

Fabricante:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
SiC MOSFET-SiC SBD Modules
Half Bridge
SiC
1.2 kV
- 6 V, + 22 V
Screw Mount
Module
- 40 C
+ 150 C
BSMx
Tray
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Half Bridge
Tiempo de caída: 40 ns
Id - Corriente de drenaje continua: 80 A
Dp - Disipación de potencia : 600 W
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Tiempo de subida: 30 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 12
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 80 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 12   Múltiples: 12
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡165 893,14 ₡1 990 717,68

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