BSM120D12P2C005

ROHM Semiconductor
755-BSM120D12P2C005
BSM120D12P2C005

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET Mod: 1200V 120A (w/ Diode)

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
134 A
- 6 V, + 22 V
2.3 V
- 40 C
+ 150 C
935 W
BSMx
Bulk
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 60 ns
Altura: 21.1 mm
Longitud: 122 mm
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 50 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 12
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Tipo: SiC Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico: 170 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 45 ns
Vr - Tensión inversa: 1.2 kV
Ancho: 45.6 mm
Peso de la unidad: 279,413 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310075
KRHTS:
8542311000
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

En existencias: 6

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡235 817,67 ₡235 817,67
₡220 682,53 ₡2 648 190,36

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