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BST70B2P4K01-VC

Name: ROHM Semiconductor BST70B2P4K01-VC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST70B2P4K01-VC
Price: 61348.27 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-BST70B2P4K01-VC

Fabricante N.º:

BST70B2P4K01-VC

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

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Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡61 348,27	₡61 348,27
	₡51 031,39	₡510 313,90
	₡46 472,02	₡5 576 642,40

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
Tecnología:	SiC
Número de canales:	4 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	70 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	385 W
Empaquetado:	Bulk
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Quad
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	15 ns
Producto:	Power Module
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	36 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	60
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EcoSiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	153 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	36 ns