BST91B1P4K01-VC

ROHM Semiconductor
755-BST91B1P4K01-VC
BST91B1P4K01-VC

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

Ciclo de vida:
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En existencias: 60

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡59 889,92 ₡59 889,92
₡49 817,01 ₡498 170,10
₡45 371,48 ₡5 444 577,60

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Módulos MOSFET
SiC
HSDIP-20
N-Channel
4 Channel
750 V
90 A
19 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
- 40 C
+ 175 C
385 W
Bulk
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Quad
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TH
Tiempo de caída: 14.2 ns
Producto: Power Module
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 39.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 60
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Nombre comercial: EcoSiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 213.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 49.3 ns
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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99

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ROHM Semiconductor High-Density Silicon Carbide (SiC) Power Modules are designed to support high-efficiency power conversion in automotive and industrial applications. The lineup includes several package platforms such as TRCDRIVE pack™, HSDIP20, and DOT-247, each optimized for different power classes and system requirements. These packages integrate SiC MOSFETs into compact module structures that enable high power density, stable switching performance, and efficient thermal management. Depending on the package, configurations such as 2-in-1, 4-in-1, and 6-in-1 are available, providing flexibility for a wide range of power conversion and motor drive applications.