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CG2H40025F

Name: MACOM CG2H40025F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H40025F
Price: 114741 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

941-CG2H40025F

Fabricante N.º:

CG2H40025F

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt

Hoja de datos:

CG2H40025F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	₡114 741	₡114 741
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	440166
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	120 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 3.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Marca:	MACOM
Ganancia:	15 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	6 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Potencia de salida:	25 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	80
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V, 2 V
Peso de la unidad:	10,566 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.