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DMG6898LSD-13

Name: Diodes Incorporated DMG6898LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG6898LSD-13
Price: 574.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMG6898LSD-13

Fabricante N.º:

DMG6898LSD-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHAN

Hoja de datos:

DMG6898LSD-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡574,20	₡574,20
	₡357,28	₡3 572,80
	₡233,16	₡23 316,00
	₡179,80	₡89 900,00
	₡162,40	₡162 400,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡161,82	₡404 550,00
	₡156,60	₡783 000,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	500 mV
Qg - Carga de puerta:	26 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.28 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12.33 ns, 12.33 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12.49 ns, 12.49 ns
Serie:	DMG6898
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35.89 ns, 35.89 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11.67 ns, 11.67 ns
Peso de la unidad:	750 mg

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Hoja de datos

DMG6898LSD-13 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMx Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMx series enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance and fast switching, making them ideal for high efficiency power management applications. Diodes Incorporated DMx enhancement mode MOSFETs are also optimized for motor control, backlighting, and DC-DC converter applications. Diodes Incorporated DMx series includes complementary dual, complementary pair, P-channel, and N-channel enhancement mode MOSFETs.