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DMN53D0LW-7

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LW-7
Price: 166.55 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMN53D0LW-7

Fabricante N.º:

DMN53D0LW-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p

Hoja de datos:

DMN53D0LW-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-323-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	360 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	800 mV
Qg - Carga de puerta:	1.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	420 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	80 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.5 ns
Serie:	DMN53
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18.9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.7 ns
Peso de la unidad:	6 mg

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Hoja de datos

DMN53D0LW-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

PRODUCTOS DESTACADOS

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DMTH64M2LPDW Dual N-Channel E-Mode MOSFET

Integrates two MOSFETs in a single PowerDI^® 5mm x 6mm package with excellent thermal performance.

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2N7002 N-Channel E-Mode Field Effect Transistors

Offers fast switching performance with low gate charge and 60V maximum drain-source voltage.

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DMN1057UCA3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features superior switching performance, ideal for high-efficiency power-management applications.

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DMT31M8LFVWQ 30V N-Ch Enhancement Mode MOSFETs

Provides low on-resistance in a thermally efficient small form factor package.

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DMN2992UFA 20V N-Ch Enhancement Mode MOSFET

20V N-Ch MOSFET designed to minimize the R_DS(ON), available in an X2-DFN0806-3 package.

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En existencias: 41 865

Existencias:: 41 865 Se puede enviar inmediatamente

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Plazo de entrega de fábrica:: 44 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1 Máxima: 1880

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡166,55	₡166,55
	₡72,87	₡728,70
	₡63,50	₡6 350,00
	₡50,49	₡25 245,00
	₡44,24	₡44 240,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡44,24	₡132 720,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

DMN53D0LW-13

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡182,16

Mín.:

DMN53D0LW-7

Fabricante: Diodes Incorporated

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p

Especificaciones

Documentos (5)

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PCN

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p

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