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FDB0165N807L

Name: onsemi FDB0165N807L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB0165N807L
Price: 4721 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDB0165N807L

Fabricante N.º:

FDB0165N807L

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V 7L JEDEC GREEN EMC

Hoja de datos:

FDB0165N807L Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

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₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡4 721	₡4 721
	₡3 689	₡36 890
	₡2 801	₡280 100
	₡2 709	₡1 354 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡2 413	₡1 930 400

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	310 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	217 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	300 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	64 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	136 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	104 ns
Serie:	FDB0165N807L
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	123 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	68 ns
Peso de la unidad:	1,600 g

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Models

FDB0165N807L Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.