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FDMC7672S

Name: onsemi FDMC7672S
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC7672S
Price: 607.19 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDMC7672S

Fabricante N.º:

FDMC7672S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET

Hoja de datos:

FDMC7672S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡607,19	₡607,19
	₡421,78	₡4 217,80
	₡317,15	₡31 715,00
	₡250,47	₡125 235,00
	₡206,01	₡206 010,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡199,51	₡598 530,00
	₡184,87	₡1 109 220,00
	₡176,19	₡1 585 710,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-33-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	14.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	30 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	36 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench SyncFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	TH
País de difusión:	TW
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	78 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	FDMC7672S
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Peso de la unidad:	200 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

FDMC7672S Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench^® SyncFET™ MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications and reduce on-state resistance. The N-Channel PowerTrench SyncFET MOSFETs utilize silicon technology to enhance performance and lower overall system costs. With an integrated Schottky diode, these onsemi N-Channel PowerTrench SyncFET MOSFETs offer similar performance (high power and current handling) of a separate MOSFET and Schottky rectifier in one package. This integration reduces space by as much as 50% and provides cost savings and manufacturing throughput (or "time") savings. Applications can include notebooks, servers, telecom, DC-DC buck converters, high-efficiency DC-DC switch-mode power supplies, and synchronous rectifiers for DC-DC converters.