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FDME1024NZT

Name: onsemi FDME1024NZT
Brand: onsemi
SKU: 512-FDME1024NZT
Price: 615 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

512-FDME1024NZT

Fabricante N.º:

FDME1024NZT

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Channel PowerTrench

Hoja de datos:

FDME1024NZT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Se espera el 12/3/2026

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45 000

Se espera el 27/3/2026

80 000

Se espera el 10/4/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 30

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡615	₡615
	₡383	₡3 830
	₡251	₡25 100
	₡205	₡102 500
	₡185	₡185 000
	₡169	₡422 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡143	₡715 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	UMLP-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	55 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	700 mV
Qg - Carga de puerta:	3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	1.7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2 ns
Serie:	FDME1024NZT
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.5 ns
Peso de la unidad:	25,200 mg

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Hoja de datos

FDME1024NZT Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8542310399
ECCN:: EAR99

FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.