FDMS86183

onsemi
512-FDMS86183
FDMS86183

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre onsemi FDMS86183

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
1 Channel
100 V
51 A
9.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 20 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 3 ns
Serie: FDMS86183
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 15 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 11 ns
Peso de la unidad: 68,100 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are 100V N-channel MV MOSFETs developed using an advanced PowerTrench process that integrates Shielded Gate Technology. These MOSFETs minimize on-state resistance (RDSON) and reverse recovery charge (Qrr) to deliver superior switching performance and efficiency. The small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr), and Figure of Merit (FOM) ensure fast switching for synchronous rectification applications. These devices have little to no voltage overshoot, reduces voltage ringing, and lowers EMI for applications requiring a 100V-rated MOSFET such as power supplies and motor drives. The power density of these MOSFETs allows wider MOSFET de-rating. These devices are 100% UIL tested and are available in an MSL1 robust package design.

En existencias: 193

Existencias:
193
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
9 000
Se espera el 3/11/2027
21 000
A determinar
Plazo de entrega de fábrica:
53
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 3000
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
₡1 306,37 ₡1 306,37
₡837,95 ₡8 379,50
₡572,51 ₡57 251,00
₡485,07 ₡242 535,00
₡429,90 ₡429 900,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡390,87 ₡1 172 610,00
† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.