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FDMS86255

Name: onsemi FDMS86255
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86255
Price: 2951.04 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDMS86255

Fabricante N.º:

FDMS86255

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

Hoja de datos:

FDMS86255 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 951,04	₡2 951,04
	₡1 878,88	₡18 788,80
	₡1 446,89	₡144 689,00
	₡1 306,37	₡653 185,00
	₡1 223,09	₡1 223 090,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡1 223,09	₡3 669 270,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-56-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	45 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	63 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	113 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	FDMS86255
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	34 ns
Peso de la unidad:	56,500 mg

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Hoja de datos

FDMS86255 Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.