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FDMS86300DC

Name: onsemi FDMS86300DC
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86300DC
Price: 2175 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDMS86300DC

Fabricante N.º:

FDMS86300DC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET

Hoja de datos:

FDMS86300DC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 175,00	₡2 175,00
	₡1 426,80	₡14 268,00
	₡997,60	₡99 760,00
	₡881,60	₡440 800,00
	₡846,80	₡846 800,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡823,60	₡2 470 800,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DualCool-56-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.4 V
Qg - Carga de puerta:	72 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Transconductancia hacia delante - Mín.:	60 s
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDMS86300DC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	N-Channel
Tiempo típico de demora de encendido:	31 ns
Peso de la unidad:	90 mg

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Hoja de datos

FDMS86300DC Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Dual Cool™ MOSFETs

onsemi Dual Cool™ PowerTrench® MOSFETs provide Dual Cool packaging technology that features bottom- and top-side cooling in a PQFN package. The PQFN footprint is an industry standard and provides performance flexibility for the designer. The Dual Cool MOSFETs feature enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over wire-bonded predecessors. The use of a heat sink with Dual Cool packaging technology provides even more impressive results. When a heat sink is used with onsemi Dual Cool package technology, synchronous buck converters deliver higher output current and increased power density.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.

Power Trench MOSFETs EXPANSION

ON Semiconductor has expanded its line of Power Trench MOSFETs to offer different drain-to-source voltages, drain current and R_DS(ON). Additional features in this expansion of the ON Semiconductor Power Trench® MOSFETs include advanced package and silicon combination for low R_DS(ON) and high efficiency, thermally efficient packages, and next generation enhanced body diode technology engineered for soft recovery. Applications for these Power Trench® MOSFETs include synchronous rectifiers for DC/DC converters, notebook or networking low side switch, telecom secondary side rectification, load switches, and many more.
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ON Semiconductor offers both N-Channel and P-Channel versions of MOSFETs using their advanced Power Trench process that has been optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness.
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