Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

HAS175M12BM3

Name: Wolfspeed HAS175M12BM3
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-HAS175M12BM3
Price: 274120 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

941-HAS175M12BM3

Fabricante N.º:

HAS175M12BM3

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

HAS175M12BM3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Wolfspeed HAS175M12BM3

En existencias: 3

Existencias:: 3 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡274 120	₡274 120
	₡202 269	₡2 022 690

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	Half Bridge Modules
Tipo:	Half Bridge
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.8 V
Vr - Tensión inversa:	800 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 19 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	Module
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Half Bridge
Id - Corriente de drenaje continua:	228 mA
Dp - Disipación de potencia :	789 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10.4 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

HAS175M12BM3 Hoja de datos (PDF)

PCN

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

62mm Silicon Carbide Half-Bridge Modules

Wolfspeed 1200V and 1700V 62mm Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules combine the system benefits of SiC with a robust and low-inductance layout. The half-bridge modules feature increased system efficiency due to SiC's low switching and conduction losses. These power modules include a low-inductance internal layout, enabling maximum voltage utilization with minimal overshoot and ringing. The half-bridge modules are chosen from aluminum nitride ceramic for reduced thermal resistance with robust CTE matching and silicon nitride ceramic for sustained maximum junction temperature operation.

HAS Harsh Environment SiC Half-Bridge Modules

Wolfspeed HAS Harsh Environment Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules provide the system benefits of SiC while maintaining the robust, industry-standard 62mm module package. The internal design, due to the low-inductance layout, enables high-speed SiC switching benefits and increased system efficiency. The Wolfspeed HAS modules are a perfect fit for high-frequency industrial applications such as induction heating, rail/traction, motor drives, and EV charging infrastructures.