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HT8MC5TB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MC5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MC5TB1
Price: 1183 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-HT8MC5TB1

Fabricante N.º:

HT8MC5TB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 60V 10A

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 183	₡1 183
	₡754	₡7 540
	₡501	₡50 100
	₡410	₡205 000
	₡364	₡364 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡310	₡930 000
	₡307	₡1 842 000
24 000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSMT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V, 60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A, 11.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	90 mOhms, 109 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Carga de puerta:	3.1 nC, 17.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	13 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	3.1 ns, 32 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.3 S, 5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns, 17 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	13 ns, 91 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.3 ns, 9.7 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.