IDW40G65C5BXKSA2

Infineon Technologies
726-IDW40G65C5BXKSA2
IDW40G65C5BXKSA2

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
Single
40 A
650 V
1.5 V
182 A
2.2 uA
- 55 C
+ 175 C
650 V
XDW40G65
Tube
Marca: Infineon Technologies
Dp - Disipación de potencia : 183 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Nombre comercial: CoolSiC
Alias de las piezas n.º: IDW40G65C5B SP001633192
Peso de la unidad: 6 g
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Austria
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Austria
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs & Diodes

Infineon Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs and Diodes provide a portfolio that addresses the need for smarter, more efficient energy generation, transmission, and consumption. The CoolSiC portfolio addresses customers’ needs for reduced system size and cost in mid- to high-power systems while meeting the highest quality standards, providing a long system lifetime, and guaranteeing reliability. With CoolSiC, customers will reach the most stringent efficiency targets while seeing a drop in operational system costs. The portfolio is comprised of CoolSiC Schottky diodes, CoolSiC hybrid modules, CoolSiC MOSFET modules, and discrete, plus EiceDRIVER™ gate driver ICs for driving Silicon Carbide devices.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

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Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

En existencias: 700

Existencias:
700 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡8 499,20 ₡8 499,20
₡5 751,14 ₡57 511,40
₡4 996,47 ₡499 647,00
₡4 626,94 ₡2 220 931,20

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