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IF170BST3TR

Name: InterFET IF170BST3TR
Brand: InterFET
SKU: 106-IF170BST3TR
Price: 827.54 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

106-IF170BST3TR

Fabricante N.º:

IF170BST3TR

Fabricante:

InterFET

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise

Hoja de datos:

IF170BST3TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	InterFET
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Serie:	IF170A
Empaquetado:	Reel
Marca:	InterFET
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

IF170BST3TR Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

IF170x N-Channel JFETs

InterFET IF170x N-Channel JFETs are designed for sensitive amplifier stages for mid-frequencies designs. These JFETs feature 1nV/√Hz typical low noise voltage, 22mS typical high gain, -30V reverse gate-source and gate-drain voltage, and 750fA typical @10V low gate leakage. The IF170x n-channel JFETs offer high radiation tolerance and a -65°C to 175°C operating junction temperature range. These JFETs are RoHS, REACH, and CMR compliant and available in SMT, TH, and bare die packages. Typical applications include amplifiers, oscillators, voltage regulators, noise generators, satellites, medical, signal mixers, headphone amplifiers, audio filters, ultrasound equipment, communications, medical imaging systems, and military.