IMZA65R039M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA65R039M1HXKS
IMZA65R039M1HXKSA1

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre Infineon Technologies IMZA65R039M1HXKSA1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
50 A
50 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
Marca: Infineon Technologies
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Alias de las piezas n.º: IMZA65R039M1H SP005423796
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Product Catalogs

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Austria
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency. 

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

En existencias: 335

Existencias:
335 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡4 861,15 ₡4 861,15
₡3 539,16 ₡35 391,60
₡3 180,04 ₡318 004,00

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.