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IPT030N12N3GATMA1

Name: Infineon IPT030N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT030N12N3GATM1
Price: 3679.69 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPT030N12N3GATM1

Fabricante N.º:

IPT030N12N3GATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos:

IPT030N12N3GATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	120 V
Id - Corriente de drenaje continua:	237 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	158 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	IPT030N12N3 G SP005348026

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Austria

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies cuentan con un bajo nivel de resistencia en estado conductor en un paquete SuperSO8 libre de plomo. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia en hasta un 50 % en los sectores industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible en MOSFET de canal N de 40 V, 60 V y 80 V en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). Con respecto a los paquetes estándar Transistor Outline (TO), los SuperSO8 aumentan la densidad de potencia hasta un 50 %.

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These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)].

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80V, N-channel, normal level devices with superior thermal resistance in a PG‑TDSON‑8 package.

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En existencias: 1 934

Existencias:: 1 934 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡3 679,69	₡3 679,69
	₡2 024,61	₡20 246,10
	₡1 790,40	₡179 040,00
	₡1 696,72	₡848 360,00
	₡1 623,85	₡1 623 850,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡1 431,28	₡2 862 560,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

IPT030N12N3GATMA1

Fabricante: Infineon Technologies

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Especificaciones

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