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IPW95R060PFD7XKSA1

Name: Infineon IPW95R060PFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW95R060PFD7XKS
Price: 7111 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPW95R060PFD7XKS

Fabricante N.º:

IPW95R060PFD7XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos:

IPW95R060PFD7XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡7 111	₡7 111
	₡7 076	₡70 760
	₡4 095	₡102 375
	₡3 695	₡369 500
	₡3 689	₡885 360
	₡3 619	₡1 737 120

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	950 V
Id - Corriente de drenaje continua:	74.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	315 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	446 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7.1 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	248 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	48 ns
Alias de las piezas n.º:	IPW95R060PFD7 SP005547003

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).