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IS66WVC4M16ECLL-7010BLI

Name: ISSI IS66WVC4M16ECLL-7010BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66WV4M16EC70BLI
Price: 4335.48 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

870-66WV4M16EC70BLI

Fabricante N.º:

IS66WVC4M16ECLL-7010BLI

Fabricante:

ISSI

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) Pseudo Tamaño de memoria RAM (SRAM), 64Mb 4Mb x16bits, CLL

Hoja de datos:

IS66WVC4M16ECLL-7010BLI Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	64 Mbit
Organización:	4 M x 16
Tiempo de acceso:	70 ns
Frecuencia de reloj máxima:	104 MHz
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.95 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Corriente de suministro - Máx.:	30 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VFBGA-54
Marca:	ISSI
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Serie:	IS66WVC4M16EALL
Cantidad de empaque de fábrica:	480
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Peso de la unidad:	86 mg

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: Taiwán

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

PRODUCTOS DESTACADOS

ISSI

Serial RAM Devices

Contain 8Mb/16Mb/32Mb pseudo-static Random Access Memory (RAM) using a self-refresh DRAM array.

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QuadRAM Devices

Contain 8Mb/16Mb/32Mb pseudo-static Random Access Memory (RAM) using a self-refresh DRAM array.

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Octal Memory

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Fabricated using high-performance CMOS technology to offer 20MHz clock rate and 4µA standby current.

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Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

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En existencias: 107

Existencias:: 107 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡4 335,48	₡4 335,48
	₡4 033,61	₡40 336,10
	₡3 913,90	₡97 847,50
	₡3 820,22	₡191 011,00
	₡3 523,55	₡880 887,50
	₡3 429,87	₡1 646 337,60
	₡3 377,82	₡3 242 707,20

IS66WVC4M16ECLL-7010BLI

Fabricante: ISSI

Descripción: Tamaño de memoria RAM (SRAM) Pseudo Tamaño de memoria RAM (SRAM), 64Mb 4Mb x16bits, CLL

Especificaciones

Documentos (1)

Hoja de datos

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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