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ISC019N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC019N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC019N08NM7ATMA
Price: 2125.18 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-ISC019N08NM7ATMA

Fabricante N.º:

ISC019N08NM7ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 125,18	₡2 125,18
	₡1 387,87	₡13 878,70
	₡986,69	₡98 669,00
	₡813,21	₡406 605,00
	₡780,68	₡1 951 700,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡758,99	₡3 794 950,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PG-TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	209 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.2 V
Qg - Carga de puerta:	60 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	188 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	MY
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	7.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.3 ns
Serie:	OptiMOS 7
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Alias de las piezas n.º:	ISC019N08NM7 SP006166279