ISC300N20NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC300N20NM6ATMA
ISC300N20NM6ATMA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre Infineon Technologies ISC300N20NM6ATMA1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SON-8
N-Channel
1 Channel
200 V
44 A
30 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
17 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 22 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 7 ns
Serie: OptiMOS 6
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 11 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 8 ns
Alias de las piezas n.º: ISC300N20NM6 SP006070094
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Austria
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Austria
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Qrr), and low on‑resistance RDS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor RDS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

En existencias: 7 707

Existencias:
7 707 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡1 655,08 ₡1 655,08
₡1 072,16 ₡10 721,60
₡744,27 ₡74 427,00
₡603,74 ₡301 870,00
₡577,72 ₡577 720,00
₡556,90 ₡1 392 250,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
₡541,28 ₡2 706 400,00

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.