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IXFH54N65X3

Name: IXYS IXFH54N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH54N65X3
Price: 7488 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFH54N65X3

Fabricante N.º:

IXFH54N65X3

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 54A N-CH X3CLASS

Hoja de datos:

IXFH54N65X3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡7 488	₡7 488
	₡4 657	₡46 570
	₡4 257	₡510 840
	₡4 147	₡4 229 940

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tipo de producto:	MOSFETs
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Modo canal:	Enhancement
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	23 S
Id - Corriente de drenaje continua:	54 A
Estilo de montaje:	Through Hole
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	625 W
Qg - Carga de puerta:	49 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	59 mOhms
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	56 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.2 V

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel, enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X3-Class provides high power density and is easy to mount, all in a space-saving package. The IXYS X3-Class MOSFETs are ideal for switch-mode and resonant-mode power supplies.