KTDM8G4B632BGCBCT

SMARTsemi
473-KTDM8G4B63BGCBCT
KTDM8G4B632BGCBCT

Fabricante:

Descripción:
DRAM DDR4, 8Gb, 512Mbx16, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 96-ball FBGA, Commercial temp

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡7 302,20 ₡7 302,20
₡6 780,20 ₡67 802,00
₡6 571,40 ₡164 285,00
₡6 414,80 ₡320 740,00
₡6 258,20 ₡625 820,00
₡6 055,20 ₡1 513 800,00
₡5 904,40 ₡2 952 200,00
₡5 858,00 ₡5 858 000,00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
SMART
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
8 Gbit
16 bit
1.6 GHz
FBGA-96
512 M x 16
1.14 V
1.26 V
0 C
+ 85 C
Marca: SMARTsemi
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Subcategoría: Memory & Data Storage
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).