Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

MJD31CHQ-13

Name: Diodes Incorporated MJD31CHQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MJD31CHQ-13
Price: 470 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

621-MJD31CHQ-13

Fabricante N.º:

MJD31CHQ-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Hoja de datos:

MJD31CHQ-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Diodes Incorporated MJD31CHQ-13

En existencias: 1 083

Existencias:: 1 083 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 40 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡470	₡470
	₡292	₡2 920
	₡190	₡19 000
	₡145	₡72 500
	₡131	₡131 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡114	₡285 000
	₡99,8	₡499 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	100 V
Tensión VCBO colector-base:	120 V
Voltaje VEBO emisor-base:	7 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.2 V
Dp - Disipación de potencia :	2.6 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Calificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diodes Incorporated
Corriente continua del colector:	3 A
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	10 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MJD31CHQ-13 Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-10-15 (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.