MR25H128AMDF

Everspin Technologies
936-MR25H128AMDF
MR25H128AMDF

Fabricante:

Descripción:
Memoria RAM magnetorresistiva 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre Everspin Technologies MR25H128AMDF

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Everspin Technologies
Categoría de producto: Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:  
DFN-8
SPI
128 kbit
16 k x 8
8 bit
2.7 V
3.6 V
6 mA, 23 mA
- 40 C
+ 125 C
MR25H128A
Tray
Marca: Everspin Technologies
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia : 600 mW
Tipo de producto: MRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 570
Subcategoría: Memory & Data Storage
Nombre comercial: Serial I/O (SPI)
Peso de la unidad: 5,163 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

En existencias: 1 204

Existencias:
1 204 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡9 222,65 ₡9 222,65
₡8 556,45 ₡85 564,50
₡8 291,01 ₡207 275,25
₡8 093,24 ₡404 662,00
₡7 890,26 ₡789 026,00
₡7 635,23 ₡1 908 807,50
₡7 432,25 ₡4 236 382,50
1 140 Presupuesto

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.