MR2A08ACYS35R

Everspin Technologies
936-MR2A08ACYS35R
MR2A08ACYS35R

Fabricante:

Descripción:
Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1500   Múltiples: 1500
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₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
₡15 681,62 ₡23 522 430,00

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N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Tray
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En existencias
Precio:
₡20 178,44
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Everspin Technologies
Categoría de producto: Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:  
TSOP-II-44
Parallel
4 Mbit
512 k x 8
8 bit
35 ns
3 V
3.6 V
30 mA, 90 mA
- 40 C
+ 85 C
MR2A08A
Reel
Marca: Everspin Technologies
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia : 600 mW
Tipo de producto: MRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Memory & Data Storage
Nombre comercial: Parallel I/O (x8)
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8471600499
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.