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MUN5213DW1T3G

Name: onsemi MUN5213DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-MUN5213DW1T3G
Price: 139 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-MUN5213DW1T3G

Fabricante N.º:

MUN5213DW1T3G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores digitales SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V

Hoja de datos:

MUN5213DW1T3G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡139	₡139
	₡85,8	₡858
	₡53,9	₡5 390
	₡39,4	₡19 700
	₡30,7	₡30 700
	₡26,7	₡133 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	₡21,5	₡215 000
	₡19,7	₡394 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

MUN5213DW1T1G

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡139

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores digitales
RoHS:
Polaridad del transistor:	NPN
Resistor de entrada típico:	47 kOhms
Proporción de resistor típica:	1
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363-6
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	80
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	50 V
Dp - Disipación de potencia :	187 mW, 256 mW
Serie:	MUN5213DW1
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	Digital Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	6 mg

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Hoja de datos

MUN5213DW1T3G Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Dual NPN Bipolar Digital Transistors

onsemi Dual NPN Bipolar Digital Transistors are designed to replace a single device and the additional external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors (a series base resistor and a base-emitter resistor). By integrating these individual components into a single device, the BRT on these onsemi NPN Bipolar Digital Transistors simplifies circuit design and eliminates them. A BRT also reduces system cost and board space.