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NSS40302PDR2G

Name: onsemi NSS40302PDR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS40302PDR2G
Price: 981.27 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NSS40302PDR2G

Fabricante N.º:

NSS40302PDR2G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A

Hoja de datos:

NSS40302PDR2G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡981,27	₡981,27
	₡623,46	₡6 234,60
	₡418,53	₡41 853,00
	₡330,70	₡165 350,00
	₡303,05	₡303 050,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡271,61	₡679 025,00
	₡247,21	₡2 472 100,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	NPN, PNP
Configuración:	Dual
Corriente CC máxima de colector:	3 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	40 V
Tensión VCBO colector-base:	40 V
Voltaje VEBO emisor-base:	6 V, 7 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	82 mV, 135 mV
Dp - Disipación de potencia :	783 mW
Producto para ganar Ancho de banda fT:	100 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	NSS40302PD
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	MY
País de origen:	PH
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
Máx. ganancia de CC hFE:	200 at 10 mA, 2 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	143 mg

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PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge Low VCE(sat) Transistors

onsemi e2PowerEdge Low V_CE(sat) Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra-low saturation voltage (V_CE(sat)) and high current gain capability. These are designed for low-voltage, high-speed switching applications where affordable, efficient energy control is essential. Typical applications are DC−DC converters and power management in portable and battery-powered products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras, and MP3 players. Other applications are low-voltage motor controls in mass storage products such as disc and tape drives. These can be used for airbag deployment and instrument clusters in the automotive industry. The high current gain allows onsemi e2PowerEdge devices to be driven directly from PMU’s control outputs, and the linear gain (Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.