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NTB5D0N15MC

Name: onsemi NTB5D0N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB5D0N15MC
Price: 3503 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTB5D0N15MC

Fabricante N.º:

NTB5D0N15MC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V N-FET D2PAK

Hoja de datos:

NTB5D0N15MC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡3 503	₡3 503
	₡2 419	₡24 190
	₡1 792	₡179 200
	₡1 775	₡887 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡1 676	₡1 340 800

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	139 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	75 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	214 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	146 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Serie:	NTB5D0N15MC
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	32 ns

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Hoja de datos

NTB5D0N15MC Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel MOSFETs that minimize on-state resistance and maintain superior switching performance with best-in-class soft body diode. These MOSFET offers lower Q_rr compared to other MOSFETs. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs lower switching noise/electromagnetic interference (EMI). These MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. The Shielded Gate PowerTrench MOSFETs come in a small PQFN8 package with 5mm x 6mm dimensions for compact designs. Typical applications include synchronous rectification (SR), AC-DC and DC-DC power supplies, AC-DC adapters (USB Power Delivery) SR, and load switches.

Industrial Motor Drives

onsemi Industrial Motor Drives are designed for global sustainability, supplying efficient, renewable technologies and intelligent power. According to the 2020 Motor System Market Analysis (MSMA), published by the US Department of Energy (DOE), industrial pumps and drives annually consume almost 15% of the total US grid. The 2020 MSMA also estimates that 32.3 million metric tons of CO₂ emissions can be saved annually using VFDs. onsemi manufactures a broad range of VFD semiconductor components, including gate drivers, MOSFETs, IGBTs, and EliteSiC.