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NTHL120N60S5Z

Name: onsemi NTHL120N60S5Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL120N60S5Z
Price: 4158.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTHL120N60S5Z

Fabricante N.º:

NTHL120N60S5Z

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 EASY 120MOHM

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡4 158,60	₡4 158,60
	₡2 813,00	₡28 130,00
	₡2 053,20	₡205 320,00
	₡2 047,40	₡921 330,00
	₡1 972,00	₡1 774 800,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	28 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	120 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	40 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	160 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	SIngle
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	17.1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns
Serie:	NTHL120N60S5Z
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	78 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns

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Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET® V MOSFETs

onsemi SuperFET^® V MOSFETs are the fifth generation high-voltage Super Junction (SJ) MOSFETs. These devices deliver best-in-class Figure of Merits (FoMs) (R_DS(ON)·Q_G and R_DS(ON)·E_OSS) to improve not only heavy load but also light load efficiency. The 600V SuperFET V MOSFETs provide design benefits through reduced conduction and switching losses while supporting extreme MOSFET dV_DS/dt ratings at 120V/ns. The SuperFET V MOSFET FAST series help to maximize system efficiency and power density. The SuperFET V MOSFET Easy Drive series combines excellent switching performance without sacrificing ease of use for both hard and soft switching topologies. Typical applications include telecommunication, cloud system, and industrial.