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NTMFS0D9N04XLT1G

Name: onsemi NTMFS0D9N04XLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D9N04XLT1G
Price: 1821 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS0D9N04XLT1G

Fabricante N.º:

NTMFS0D9N04XLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE

Hoja de datos:

NTMFS0D9N04XLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 821	₡1 821
	₡1 206	₡12 060
	₡841	₡84 100
	₡713	₡356 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡597	₡895 500
	₡580	₡1 740 000
24 000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	278 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	900 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	70 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	136 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	178 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	NTMFS0D9N04XL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	53 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	21 ns

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Hoja de datos

NTMFS0D9N04XLT1G Hoja de datos

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.