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NTMFS1D1N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS1D1N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS1D1N04XMT1G
Price: 1317 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS1D1N04XMT1G

Fabricante N.º:

NTMFS1D1N04XMT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Hoja de datos:

NTMFS1D1N04XMT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 317	₡1 317
	₡847	₡8 470
	₡574	₡57 400
	₡459	₡229 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡411	₡616 500
	₡363	₡1 089 000
24 000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	233 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.05 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	49.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	104 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.07 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	152 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7.09 ns
Serie:	NTMFS1D1N04XM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	32.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22.2 ns

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Product Change Notification 2024-02-06 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.