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NTMFS4C022NT1G

Name: onsemi NTMFS4C022NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4C022NT1G
Price: 621 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS4C022NT1G

Fabricante N.º:

NTMFS4C022NT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH

Hoja de datos:

NTMFS4C022NT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-

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₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡621	₡621
	₡392	₡3 920
	₡262	₡26 200
	₡207	₡103 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡164	₡246 000
	₡141	₡423 000
	₡133	₡1 197 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	136 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	45.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3.1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTMFS4C022N
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	750 mg

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NTMFS4C022NT1G Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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PowerTrench® MOSFETs

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