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NTMFS4D0N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS4D0N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D0N04XMT1G
Price: 817.13 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS4D0N04XMT1G

Fabricante N.º:

NTMFS4D0N04XMT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Ciclo de vida:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	12 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	43 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	32 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns

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NTMFS4D0N04XMT1G Hoja de datos

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

T10 Low/Medium Voltage MOSFETs

onsemi T10 Low/Medium Voltage MOSFETs are single N-channel power MOSFETs in 40V and 80V categories with improved performance, enhanced system efficiency, and high power density. These power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The T10 low/medium voltage MOSFETs provide low Q_RRand a soft recovery body diode. These MOSFETs comply with the RoHS and are Pb-free and Halogen-free/BFR-free. Typical applications include Synchronous Rectification (SR) in DC-DC and AC-DC converters, the primary switch in an isolated DC-DC converter, battery protection, and motor drives.

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Obtenga más información

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Obtenga más información

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Obtenga más información

NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

Obtenga más información

NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

This device offers a low Q_RR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

Obtenga más información

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡817,13	₡817,13
	₡452,80	₡4 528,00
	₡334,14	₡33 414,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡334,14	₡501 210,00

NTMFS4D0N04XMT1G

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Especificaciones

Documentos (1)

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Cumplimiento de productos y comercio

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T10 Low/Medium Voltage MOSFETs

PRODUCTOS DESTACADOS ONSEMI

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Precio (CRC)

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onsemi

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

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