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NTMFS5H400NLT1G

Name: onsemi NTMFS5H400NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS5H400NLT1G
Price: 1641.4 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS5H400NLT1G

Fabricante N.º:

NTMFS5H400NLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

Hoja de datos:

NTMFS5H400NLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 641,40	₡1 641,40
	₡1 125,20	₡11 252,00
	₡957,00	₡95 700,00
	₡899,00	₡899 000,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡899,00	₡1 348 500,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	330 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	120 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	160 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	350 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	140 ns
Serie:	NTMFS5H
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	51 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Peso de la unidad:	750 mg

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Hoja de datos

NTMFS5H400NLT1G Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NTMFS5 Power MOSFETs

onsemi NTMFS5 Power MOSFETs are 40V single N−channel Power MOSFETs featuring the SO-8FL logic level. The NTMFS5's low on-resistance minimizes conduction losses. The MOSFET's low gate charge and capacitance reduce driver losses. Available in a compact 5x6mm footprint, the NTMFS5 Power MOSFETs are ideal for Netcom, telecom, servers, AC adapters, and handheld power tools.

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).