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NTMYS025N06CLTWG

Name: onsemi NTMYS025N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMYS025N06CLTWG
Price: 1032.4 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMYS025N06CLTWG

Fabricante N.º:

NTMYS025N06CLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

Hoja de datos:

NTMYS025N06CLTWG Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 032,40	₡1 032,40
	₡661,20	₡6 612,00
	₡441,38	₡44 138,00
	₡349,16	₡174 580,00
	₡319,00	₡319 000,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡297,54	₡892 620,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	21 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	27.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	2.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	24 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	2.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	20 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12.5 ns
Serie:	NTMYS025N06CL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Peso de la unidad:	75 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

LFPAK4 Industrial N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Industrial N-channel Power MOSFETs are single MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These industrial-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide, -55°C to +175°C operating temperature range.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.