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NVMTS4D3N15MC

Name: onsemi NVMTS4D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMTS4D3N15MC
Price: 4333 CRC
Availability: InStock

Mouser N.º:

863-NVMTS4D3N15MC

Fabricante N.º:

NVMTS4D3N15MC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE

Hoja de datos:

NVMTS4D3N15MC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡4 333	₡4 333
	₡2 993	₡29 930
	₡2 279	₡227 900
	₡2 274	₡1 137 000
	₡2 071	₡2 071 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡1 856	₡5 568 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	165 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.45 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	79 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	292 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NVMTS4D3N15MC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NVMTS4D3N15MC Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low R_DS(on) and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.