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NX7002BKHH

Name: Nexperia NX7002BKHH
Brand: Nexperia
SKU: 771-NX7002BKHH
Price: 168.2 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-NX7002BKHH

Fabricante N.º:

NX7002BKHH

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .35A

Hoja de datos:

NX7002BKHH Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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En pedido:: 39 527

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Plazo de entrega de fábrica:: 12

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡168,20	₡168,20
	₡103,82	₡1 038,20
	₡73,66	₡3 683,00
	₡63,80	₡6 380,00
	₡44,08	₡44 080,00
	₡33,64	₡84 100,00
	₡30,16	₡150 800,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	₡30,16	₡301 600,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-1006-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	350 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.1 V
Qg - Carga de puerta:	1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	710 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	600 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	1 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	3 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	1 ns
Alias de las piezas n.º:	934660492125
Peso de la unidad:	0,447 mg

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JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DFN0606 Trench MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench MOSFETs are designed to utilize Trench MOSFET technology to provide low threshold voltage and very fast switching. These Nexperia MOSFETs feature electrostatic discharge (ESD) protection and are available in a leadless ultra-small DFN0606-3 (SOT8001) surface-mount (SMD) plastic package. Typical applications include mobile phones, wearable and portable devices, mobile phone accessories, headsets, earphones, and hearing aids.