PJD30N15_L2_00001 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 90 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 150V 25A N-CH N/A

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 90 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement