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PJD45N15S-AU_L2_006A1

Name: Panjit PJD45N15S-AU_L2_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJD45N15SAUL26A1
Price: 1717 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

241-PJD45N15SAUL26A1

Fabricante N.º:

PJD45N15S-AU_L2_006A1

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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	₡1 717	₡1 717
	₡1 114	₡11 140
	₡818	₡81 800
	₡684	₡342 000
	₡638	₡638 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡541	₡1 623 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252AA-2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	36 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	100 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	31 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	31 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	24 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	PJD45N15S
Peso de la unidad:	321,700 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

150V N-Channel Automotive MOSFETs

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs optimized to have good Figure of Merit (FOM) and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive. These enhancement-mode automotive MOSFETs operate from 18A to 65A continuous drain current and are AEC-Q101 qualified devices. The 150V N-channel MOSFETs operate from -55°C to 175°C junction and storage temperature range. These N-channel MOSFETs feature green molding compounds that are compliant with the IEC 61249 standard and EU RoHS 2.0. The 150V N-channel MOSFETs are ideal for Battery Management System (BMS), Brushless Direct Current (BLDC), and Switch Mode Power Supply (SMPS) SR.

60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs are a family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs. The PANJIT 60/100/150V MOSFETs are designed with advanced trench technology for superior performance and efficiency. Ideal for automotive and industrial power systems, these MOSFETs offer an exceptional figure of merit (FOM), significantly lower R_DS(ON), and reduced capacitance. These features minimize conduction and switching losses for improved electrical performance. Available in compact packages like DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, and TO-220AB-L, these MOSFETs enable efficient design solutions for modern electronics.