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PMDXB1200UPEZ

Name: Nexperia PMDXB1200UPEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB1200UPEZ
Price: 278.4 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PMDXB1200UPEZ

Fabricante N.º:

PMDXB1200UPEZ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-

Hoja de datos:

PMDXB1200UPEZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 8

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡278,40	₡278,40
	₡170,52	₡1 705,20
	₡108,46	₡10 846,00
	₡81,20	₡40 600,00
	₡64,96	₡64 960,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡56,26	₡281 300,00
	₡51,62	₡516 200,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-1010-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	410 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.4 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	950 mV
Qg - Carga de puerta:	1.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	410 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934069327147
Peso de la unidad:	1,229 mg

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JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.