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PMDXB600UNELZ

Name: Nexperia PMDXB600UNELZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB600UNELZ
Price: 203 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PMDXB600UNELZ

Fabricante N.º:

PMDXB600UNELZ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1216 2NCH 20V .6A

Hoja de datos:

PMDXB600UNELZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 8

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡203,00	₡203,00
	₡122,96	₡1 229,60
	₡77,14	₡7 714,00
	₡57,42	₡28 710,00
	₡45,24	₡45 240,00
	₡44,08	₡110 200,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡37,12	₡185 600,00
	₡33,64	₡336 400,00
	₡31,32	₡783 000,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-1010-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	600 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	470 mOhms, 470 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	450 mV
Qg - Carga de puerta:	700 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	380 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	51 ns, 51 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1 S, 1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9.2 ns, 9.2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns, 19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.6 ns, 5.6 ns
Alias de las piezas n.º:	934070432147
Peso de la unidad:	1,217 mg

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JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

PMDXB600UNEL 20V Dual N-Channel Trench MOSFET

Nexperia PMDXB600UNEL 20V Dual N-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) housed in a leadless ultrasmall surface-mounted plastic package. The PMDXB600UNEL features a low leakage current, and an exposed drain pad for excellent thermal conduction. Typical applications include relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.